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TSMC「2ナノ開発中」vsサムスン「2021年3ナノ量産」!TSMCとサムスン電子の格差が再び拡がるようになった

半導体受託生産(ファウンドリ)恐竜の間の競争が激化している。逃げる1位TSMCと追撃する2位サムスン電子の“ナノ競争”からだ。

20日、業界と外信によると、劉徳音TSMC会長は2ナノメートル(nm)プロセスを研究開発(R&D)中と初めて公開した。

台湾メディアは、TSMCがファウンドリのR&D速度を高めていると分析した。後発走者であるサムスン電子の追撃が主な理由だ。TSMCは、台湾新竹の科学技術団地に2nmの工場を建てる。来る2024年の生産が目標だ。

TSMCは5nmプロセス試験生産にも入った状態だ。早ければ来年上半期から5nmの工程を適用したチップ量産に突入するとみられる。

サムスン電子は4日のファウンドリフォーラムで“2021年3nm製品の量産ロードマップ”を発表した。特に3nmからGAA(Gate-All-Around)工程を導入する。電流が流れる円筒チャンネル全体をゲートが取り囲む、電流の流れをより細かく制御することができる次世代トランジスタ構造だ。すでに3nm GAE(Gate-All-Around Early)プロセス設計キットを顧客に配布した。

3nmプロセスの場合、現在の7nm比のチップ面積を45%程度削減することができる。50%の消費電力削減と35%のパフォーマンス向上の効果も得ることができる。

両社のナノ競争は7nmから本格化した。TSMCが7nmプロセスを先に出すと、サムスン電子は極紫外線(EUV)技術で反撃した。サムスン電子は、今年4月にEUV技術をベースにした7nm製品を出荷した。EUV技術は、従来のフッ化アルゴン(ArF)より14分1にすぎない波長の長さで細かな回路パターンを描画することができる。TSMCは一歩遅れてEUV工程を導入した。

EUVを前面に出したサムスン電子は5nmプロセスの開発を完了した。今年の後半6nm適用製品、来年上半期には5nm製品の量産が予定されている。

現在、技術的には、サムスン電子が一歩リードしているという評価だ。EUV先取り戦略が功を奏したのだ。ただしファウンドリの性質上、競合他社の顧客を奪うのは容易ではない。

業界関係者は、“微細工程を先に開発すると終わる問題ではない。重要なポイントは、開発の完成度、量産性”としながら“半導体の設計(ファブレス)の立場から生産ラインを移すのは容易ではない。TSMCの力はここにある”と述べた。

一方、市場調査会社のトレンドフォースによると、今年第3四半期TSMCの売上高は92億5200万ドル(約1兆円)に達する見込みである、シェア50.5%だ。サムスン電子の売上高は33億5200万ドル(約3600億円)と予想された、シェア18.5%だ。今年初めTSMC(48.1%)とサムスン電子(19.1%)の格差が減る雰囲気だったが、再び拡がるようになった。TSMCは、50%台を回復した。

日本は親日国の台湾には12Nineのフッ化水素を安定的に供給しますが韓国へは供給しません!勝負はすでについているんだよ。
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